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                   8(2013/06/14 ())

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メルマガnano2BIZ8号をお届けします。

 

台風3号による水資源の確保も期待外れに終わりそうです。

円高と株価の乱高下〜下落で、アベノミクスの雲行きが怪しくなってきたとマスコミは騒いでいます。614日に閣議決定される「成長戦略」も発表前から秋の設備投資減税追加が打ち出されるなど不十分な内容のようです。

それなりの環境改善・成果は見られても、期待が大きいほど落差は大きく感じられます。

 

 

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nanoBIZ News

 

◆ 公募案件の紹介

 

1.科学技術振興機構センターオブイノベーション(COI)プログラムの公募について

 

(1) シーズ育成から企業化開発 [ 課題 ]

応募期限20130812

 

(2) シーズ育成から企業化開発平成25年度第2回「研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)」新規課題公募について[ 課題 ]

応募期限20130731

 

(1)(2)共に

http://www.jst.go.jp/bosyu.html

 

2.経済産業省 未来開拓研究プロジェクト

 

(1) 平成25年度「再生可能エネルギー貯蔵・輸送等技術開発」に係る委託先の公募について

公募機関/産業技術環境局研究開発課

公募期間/平成25529()〜平成25627()

 

(2) 平成25年度「未利用熱エネルギー革新的活用技術研究開発」に係る委託先の公募について

公募期間/平成25529()〜平成25627()

公募機関/産業技術環境局 研究開発課 製造産業局

 ファインセラミックス・ナノテクノロジー・材料戦略室

(1)(2)共に

http://www.meti.go.jp/information/publicoffer/kobo/k130529003.html

 

◆ 技術開発動向の紹介

 

(1) 大幅な性能向上が期待できる新たな構造のトンネルFET

 

産業技術総合研究所(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門シリコンナノデバイスグループが新たな構造を採用した合成電界トンネルFETの動作を実証。

同じゲート電圧でより大きな電界が得られる立体構造により、従来の10100倍の動作電流が得られ、集積回路(LSI)の消費電力低減への寄与に期待されます。

 

(2) 3次元積層集積回路のための多結晶ゲルマニウムトランジスタ

−実用レベルの良好なスイッチング特性を実現−

 

「産総研」ナノエレクトロニクス研究部門が、大規模集積回路の3次元積層技術に向けた多結晶ゲルマニウム(Ge)トランジスタが5桁を超えるオン・オフ比を示すことを実証。

CMOS回路上に別のCMOS回路を連続的に積層するためのデバイス技術を開発、

層間膜上に低コストで形成でき、実用レベルに迫るオン・オフ比を実現しました。

 

(3) GeInGaAsを用いたCMOSインバーターの動作を実証

 Si-CMOSの限界を超える省電力効果に期待−

 

「産総研」グリーン・ナノエレクトロニクスセンターは、住友化学と共同で、大規模集積回路の消費電力低減に有効な、ゲルマニウム(GepMOSFETpMOSFET)とインジウムガリウムヒ素(InGaAsnMOSFETnMOFSET)によって構成されるCMOSインバーターを試作し、その動作を初めて実証。

ゲルマニウムのpMOSFETとインジウムガリウムヒ素のnMOSFETを用いたCMOSインバーターにより、p型とn型の層を上下に積層することで各層の作製工程の最適化が容易になるとのことです。

 

(1)(2)(3)共に詳細は

http://www.aist.go.jp/db_j/list/l_research_research.html

 

◆ その他・イベント等

(1) 「ナノ材料の産業利用を支える計測ソリューション開発コンソーシアム」の発足

−日本のナノ材料の国際展開に必要とされる計測技術の融合と標準化を目指して−

 

「産総研」計測・計量標準分野、ナノテクノロジー・材料・製造分野、株式会社島津製作所、日本電子株式会社、および株式会社リガクは、「ナノ材料の産業利用を支える計測ソリューション開発コンソーシアム」(Consortium for Measurement Solutions for Industrial Use of Nanomaterials (COMS-NANO))(「ナノ計測ソリューションコンソ」)を201361日に発足させ、ナノ材料の粒径、特性評価手法・装置の開発を目指す共同研究に取り組みます。

http://www.aist.go.jp/db_j/list/l_news_press_release.html

 

(2) NIMS Conference2013を開催

 

主催:独立行政法人 物質・材料研究機構

日時:71日〜3日、

場所:つくば国際会議場

 

テーマ:「機能性原子/分子薄膜の構造制御とその応用」

http://www.nims.go.jp/nimsconf/2013/

 

半導体集積回路等の電子デバイス、エレクトロニクスは、高集積化、微細化をすすめることで高速化と低消費電力化を進めてきました。

さらに進めるには、新材料と新構造が必要になります。注目されるのは、多様な機能をもつ有機分子材料やナノ材料であり、ナノ構造を評価する方法としてX線や中性子線をつかった分析や関連する表面分析手法も大きな発展をみせています。

今回のテーマは分子・原子をつかった超薄膜の応用に関するもので、ハーバード大学のRoy Gordon先生による原子層堆積法(ALD)に関する講演と議論等も行います。

 

 

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奇数号にマガジンを掲載しています。今回はお休みです。

 

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